/ معاونت ها / معاونت علمی (آموزشي-پژوهشی) / حوزه پژوهش / مدیر پژوهش

مدیر پژوهش

سوابق علمی و پژوهشی

مشخصات فردی:

نام: سید صالح  

 نام خانوادگي: قریشی امیری

  تاريخ تولد:   1361        

رشته تحصیلی: برق-الکترونیک

نام و نشانی محل کار: دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور- گروه برق-الکترونیک

شغل: عضو هیات علمی گروه برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مرتبه علمي:‌ استادیار     مدرک تحصیلی: دکتری تخصصی    گرایش: الکترونیک

نام و نشاني محل كار: دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور  

پست الكترونيكي:                                                                      

  salehghoreyshi@gmail.com   

s.ghoreishi@iaunour.ac.ir

 

  • اطلاعات تحصيلي:

مدرك تحصيلي

دانشگاه

كشور

سال اخذ مدرك

رشته تحصيلي

دکتری تخصصی

علوم و تحقیقات تهران

ایران

1392

برق-الکترونیک

کارشناسی ارشد

علوم و تحقیقات تهران

ایران

1388

برق-الکترونیک

کارشناسی

دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل

ایران

1384

برق-الکترونیک

 
  • مقالات چاپ شده در مجلات معتبر داخلي و خارجي

ردیف

 

عنوان مقاله

مشخصات مجله

اسامي همكاران به ترتيب اولويت

(شامل نام متقاضي)

نام کامل مجله

ISSN

 

نمایه مجله

IF

سال

چاپ

 شماره جلد و شماره صفحات

1

A Computational Study of a Heterostructure Tunneling Carbon Nanotube Field-Effect Transistor

 

Journal of ELECTRONIC MATERIALS

0361-5235

 

ISI

1.579

2019

1-7

S. H. Tahaei,

S. S. Ghoreishi,

R. Yousefi,

H. Aderang

2

A New Step Response Modeling in CMOS Operational Amplifiers

Analog Integrated Circuits and Signal Processing

0925-1030

 

ISI

0.623

2019

76 (3)

H. gholamnataj

H. Aderang

S. S. Mohseni

S. S. Ghoreishi

3

A computational study of a carbon nanotube junctionless tunneling
field-effect transistor (CNT-JLTFET) based on the charge plasma
concept

Superlattices and Microstructures

0749-6036

 

ISI

2.117

2019

168-176

S. H. Tahaei,

S. S. Ghoreishi,

R. Yousefi,

H. Aderang

4

A Computational Study of an Optimized MOS-Like Graphene

Nano Ribbon Field Effect Transistor (GNRFET)

ECS Journal of Solid State Science and Technology

2162-8769

 

ISI

1.8

2018

7 (3) P96-P101

M. A. Khorshidsavar, S. S. Ghoreishi, R. Yousefi

5

Gate structural engineering of MOS-like junctionless Carbon nanotube field effect transistor (MOS-like J-CNTFET)

International Journal of Nano Dimension

2008-8868

 

ESCI

-

2018

9 (1), 32-40

M. Faraji, S. S. Ghoreishi, R. Yousefi

6

An Analytical Model for Ballistic Carbon Nanotube Field Effect

Transistor Applicable to Circuit Simulators

ECS Journal of Solid State Science and Technology

2162-8769

 

ISI

1.8

2017

6 (9)

M109-M113

R Yousefi

SS Ghoreishi

M. Kabir

 

7

A numerical study of the nanoribbon field-effect transistors

under the ballistic and dissipative transport

International Journal of Nano Letter

2008-9295

 

ISC

-

2017

7 (3)

225-232

SS Ghoreishi

R Yousefi

K Saghafi

MK Moravvej-Farshi

8

Performance Evaluation and Design Considerations of Electrically Activated Drain Extension Tunneling GNRFET:

A Quantum Simulation Study

Journal of ELECTRONIC MATERIALS

0361-5235

 

ISI

1.579

2017

46 (11)

6508-6517

SS Ghoreishi

R Yousefi

N. Taghavi

9

A computational study of a novel graphene nanoribbon field effect transistor

International Modern Physics Letters B (IJMPLB)

0217-9792

 

ISI

0.79

2017

30-1750056

SS Ghoreishi

R Yousefi

10

A novel Tunneling Graphene Nano Ribbon Field Effect Transistor with dual material gate: Numerical studies

Superlattices and Microstructures

0749-6036

 

ISI

2.117

2016

97

277-286

SS Ghoreishi, K Saghafi, R Yousefi, MK Moravvej-Farshi

11

Effect of uniaxial strain on electrical properties of CNT-based

junctionless field-effect transistor: Numerical study

Superlattices and Microstructures

0749-6036

 

ISI

2.117

2016

93

92-100

P. Pourian

R. Yousefi

SS Ghoreishi

12

Graphene Nanoribbon Tunnel Field Effect Transistor with Lightly Doped Drain: Numerical Simulations

Superlattices and Microstructures

0749-6036

 

ISI

2.117

2014

75

245–256

SS Ghoreishi, K Saghafi, R Yousefi, MK Moravvej-Farshi

13

A NOVEL GRAPHENE NANO-RIBBON FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SCHOTTKY TUNNELING DRAIN AND OHMIC TUNNELING SOURCE

Modern Physics Letters B (MPLB)

0217-9849

 

ISI

0.687

2013

26

1350189

SS Ghoreishi, K Saghafi,

MK Moravvej-Farshi

14

Numerical Study of Ohmic-Schottky Carbon Nanotube Field Effect Transistor

Modern Physics Letters B (MPLB)

0217-9849

 

ISI

0.687

2012

26(15)

R Yousefi, SS Ghoreyshi

15

Modeling of jitter in bang-bang clock and data recovery circuits

 

COMPEL: The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering

 

0332-1649

 

ISI

0.57

2013

32(3)

1151-1168

 

H. Aderang

S.S. Ghoreishi

16

A New Dual-Frequency LC Oscilator Analysis and Design

Majlesi Journal of Telecomiunication Device

 

 

ISC

 

2013

Vol.2 NO. 2 225-231

H. Aderang

S.S. Ghoreishi

15

A COMPUTATIONAL STUDY OF STRAIN EFFECTS IN THE BAND-TO-BAND-TUNNELING CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

International Journal of Modern Physics B

0217-9792

 

ISI

0.79

2012

26(29)

R Yousefi, SS Ghoreishi

17

A computational study on electrical characteristics of a novel band-to-band tunneling graphene nanoribbon FET

Superlattices and Microstructures

0749-6036

 

ISI

2.117

2013

60

 169-178

R Yousefi, M Shabani, M Arjmandi, SS Ghoreishi

18

Designing New Model of BAW Resonator to Use At Oscillator Circuits with MEMS Technology

 

International Journal of Mechatronics, Electrical and Computer Technology

2305-0543

 

ISC

---

2015

The proceeding of NAEC 2014

294-309

Mohsen Zafari

H. Aderang

S.S. Ghoreishi

19

 Study and Simulation Source-Island and Drain-Island Tunnel Junction Parameters Variations effects on the Single-Island SET Characteristics Curves by Master Equations

 International Journal of Mechatronics, Electrical and Computer Technology

2305-0543

 

ISC

---

2015

 

 The proceeding of NAEC 2014

. 255-267

Seyedkeyvan Babaei, Seyedsaleh Ghoreishi Amiri,

Reza Yousefi

 

  • مقالات چاپ شده در کنفرانسها

ردیف

 

عنوان مقاله

مشخصات کنفرانس

 

 

 

 

اسامي همكاران به ترتيب اولويت

(شامل نام متقاضي)

عنوان  کنفرانس

محل برگزاری

 

درجه

تاریخ

برگزاری

شماره صفحات

1

مطالعه عددی اثر کرنش تک محوری بر مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربن

کنفرانس بین المللی پژوهشهای نوین در علوم مهندسی

دانشگاه تهران

 

بین المللی

اسفند 94

 

پریسا پوریان

رضا یوسقی

سید صالح قرشی

2

تحلیل و شبیه سازی آشکار ساز نوری گرافنی

چهارمین کنفرانس الکترومغناطیس مهندسی ایران

دانشگاه علوم دریائی امام خمینی (ره) نوشهر

 

ملی

اسفند 94

 

الهام امیرزاده

رضا یوسفی

سید صالح قرشی

3

مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی ماسفتی مبتنی بر نانو نوار گرافن

هجدهمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ایران

IEEE-ICEE

دانشگاه صنعتی شریف

 

بین المللی

اسفند 94

 

سهیل عباس زاده

سیده هدی طاهایی

سید صالح قریشی

رضا یوسفی

4

High Speed RSA Implementation Based on Modified Booth’s Technique and Montgomery’s Multiplication for FPGA Platform

2009 Second International Conference on Advances in Circuits, Electronics and Micro-Electronics

 

 

International Conference

2009

 

S.S. Ghoreishi

M. A. Pourmina

M. Dousti

5

مهندسی ساختار ترانزیستورهای  اثر میدانی تونلی مبتنی بر نانونوار گرافین

اولین کنفرانس ملی برق

دانشگاه آزاد اسلامی-واحد لنگرود

 

کنفرانس ملی

اسفند 93

 

ندا انگورج تقوی

سید صالح قریشی

رضا یوسفی

6

ترانزیستور اثر میدانی تونلی نانونوار گرافینی اصلاح شده برای کاربردهای توان پایین

اولین همایش ملی

دانشگاه آزاد اسلامی-واحد علی آباد

 

همایش ملی

دی 92

 

سیده هدی طاهائی

رضا یوسفی

سید صالح قریشی

7

مدلسازی ترانزیستورهای اثرمیدانی ماسفتی نانولوله کربنی بالستیک

سومین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران

واحد نجف آباد

 

ملی

اسفند 90

 

رضا یوسفی، سید صالح قریشی، محمد شعبانی

8

ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی بالستیک

سومین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران

واحد نجف آباد

 

ملی

اسفند 90

 

محمد شعبانی، رضا یوسفی، سید صالح قریشی

9

مهندسی ساختار ترانزیستور اثرمیدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار کرافنی

دومین همایش منطقه ای دستاوردهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر

دانشگاه آزاد اسلامی-واحد جویبار

 

منطقه ای

18 آبان 93

 

سهیل عباس زاده

رضا یوسفی

سید صالح قریشی

10

طراحی مدل جدید رزوناتور BAW برای استفاده در مدارات اسیلاتور با فناوری MEMS

دومین همایش منطقه ای دستاوردهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر

دانشگاه آزاد اسلامی-واحد جویبار

 

منطقه ای

18 آبان 93

 

محسن ظفری

حبیب اله آدرنگ

سید صالح قریشی

11

بررسی و شبیه سازی تغییر پارامترهای پیوند تونلی درین-سورس بر منحنی مشخصه ترانزیستور تک الکترونی تک جزیره ای با کمک معادلات اساسی

دومین همایش منطقه ای دستاوردهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر

دانشگاه آزاد اسلامی-واحد جویبار

 

منطقه ای

18 آبان 93

 

سید کیوان بابایی

سید صالح قریشی

رضا یوسفی

12

بررسی وشبیه سازی اثر خازنی گیت بر منحنی مشخصه ترانزیستور تک الکترونی تک جزیره ای با کمک معادلات اساسی

دومین همایش منطقه ای دستاوردهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر

دانشگاه آزاد اسلامی-واحد جویبار

 

منطقه ای

18 آبان 93

 

سید کیوان بابایی

سید صالح قریشی

رضا یوسفی

 
  • طرحهاي پژوهشي مصوب

ردیف

 

عنوان طرح

مشخصات طرح

اسامي همكاران به ترتيب اولويت (شامل نام مجری و همکاران)

نوع طرح

سازمان تصویب کننده طرح

سمت در طرح

تاريخ شروع

تاریخ خاتمه

 

1

مهندسی ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانونوار گرافین

 

داخلی

   

    واحد نور

مجری

1392

1393

 

رضا یوسفی

 

 

 

 

2

 

 

تخصیص منابع و زمانبندی آگاه از کانال برای تضمین کیفیت سرویس در کلاس­های مختلف از سیستم بیسیم وایمکس

 

 

داخلی

 

 

واحد نور

همکار

 

 

 

1392

 

1393

 

هادی دهبوید

 

 

 

3

تحلیل و طراحی یک نوسان ساز چند بانده براي استفاده در ساختارهاي فرستنده-گیرنده رادیویی چند حالته

 

 

 

 

 

داخلی

 

 

 

 

واحد نور

 

همکار

 

 

 

1391

1392

 

حبیب اله آدرنگ


میزان بازدید: 222   امتیاز این صفحه: 0

    دفتر بازرسی ویژه هیات امنا


    دانشگاه آزاد اسلامی استان مازندران

    عضویت در خبرنامه

    آمار بازدید       امروز: 209    ديروز: 885    اين ماه: 24076    تاکنون : 1661122